RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparez
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Note globale
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.7
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
13.9
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3576
2361
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB Comparaison des RAM
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link