RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
59
Autour de 34% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
59
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2355
2727
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre 0000 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link