RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
59
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
59
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
2727
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link