RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
39
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
33
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2355
2702
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link