RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
14.6
16.1
写入速度,GB/s
8.8
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2702
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link