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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
13.9
17.8
写入速度,GB/s
8.4
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
3171
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
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