RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
39
Autour de -77% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
22
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2355
3392
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link