RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2355
2800
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link