RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3090
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link