RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Comparez
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Note globale
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2307
3025
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link