RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparez
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Note globale
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
38
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2106
2952
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Comparaison des RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link