RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Comparez
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Note globale
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Note globale
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
39
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2453
2871
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link