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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
46
Autour de 63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
11
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
46
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
2481
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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