Comparaison de la RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Note globale

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

17 38

Autour de 55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

22.8 15.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.4 12.0

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 10600

Autour de 2.42 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

3391 2283

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns