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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
38
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
38
读取速度,GB/s
22.8
15.5
写入速度,GB/s
15.4
12.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2283
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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