RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
73
Autour de 77% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
73
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
1843
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link