RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
81
Autour de 54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.4
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
81
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
1651
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link