RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
81
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
81
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
1651
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link