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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
37
Autour de -106% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
18
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
3536
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaison des RAM
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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