RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
44
Autour de -144% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
18
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3668
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link