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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Raisons de considérer
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
37
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
2831
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaison des RAM
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Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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