RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
59
Autour de -136% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3890
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link