RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3890
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link