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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
59
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
25
读取速度,GB/s
4,833.8
19.5
写入速度,GB/s
2,123.3
16.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3890
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
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