RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Comparez
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Note globale
Corsair VS1GB800D2 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair VS1GB800D2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
47
Autour de -47% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
1,361.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,680.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,361.1
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
460
3579
Corsair VS1GB800D2 1GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link