Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Corsair VS1GB800D2 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Punteggio complessivo
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Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Punteggio complessivo
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 16.8
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    32 left arrow 47
    Intorno -47% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.4 left arrow 1,361.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 6400
    Intorno 3.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    47 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,680.7 left arrow 16.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,361.1 left arrow 15.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    460 left arrow 3579
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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