Comparaison de la RAM Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Note globale

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 51

Autour de -65% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.4 1,839.1

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 5300

Autour de 3.62 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

721 2361

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns