Confronto tra le RAM Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Punteggio complessivo

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 51

Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.4 1,839.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 5300

Intorno 3.62 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

721 2361

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns