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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
34
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
2809
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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