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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
3206
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
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