RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
45
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2353
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link