RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2353
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link