RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
34
Autour de -48% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
2339
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link