RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
34
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.7
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
2339
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link