RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
34
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
3316
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link