RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Comparez
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Note globale
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
69
Autour de -188% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
4.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
24
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
4.1
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1116
2370
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link