RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
51
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
51
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
2570
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
INTENSO M418039 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link