RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
34
Autour de -13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
2935
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link