RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2609
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link