RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
3845
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link