RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
36
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2497
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link