RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 36
    周辺 19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 15.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 11.8
    テスト平均値
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    16.9 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2601 left arrow 2497

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAMの比較

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
メモリRAM