RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
36
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
2504
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link