RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
38
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
7.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2163
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link