RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
7.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2163
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link