RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
41
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2394
3117
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link