RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
41
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2394
2824
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link