RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3692
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link