RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.4
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3692
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5428-047.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link