RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
42
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3632
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link